QPD1881L
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD1881L 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | NI780-2 |
| 增益 | 21.2 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| Pd-功率耗散 | 237 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 145 V |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 7 V to 2 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | 55 V |
库存：52,685
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,734.9478
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 25+ | ￥1,734.9478 | ￥43,373.6950 |
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