TGF2160
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | TGF2160 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Gel Pack |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Die |
| 增益 | 10.4 dB |
| 技术 | GaAs |
| Pd-功率耗散 | 5.6 W |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Id-连续漏极电流 | 517 mA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 7 V |
| 晶体管类型 | pHEMT |
库存：53,174
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 100
- 参考单价：
- ￥107.0108
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 100+ | ￥107.0108 | ￥10,701.0800 |
| 300+ | ￥100.0036 | ￥30,001.0800 |
| 500+ | ￥93.4989 | ￥46,749.4500 |
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