A2G26H281-04SR3
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A2G26H281-04SR3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780S-4 |
| 增益 | 14.2 dB |
| 技术 | GaN |
| 输出功率 | 50 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V, 0 V |
库存：51,135
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥886.6796
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 250+ | ￥886.6796 | ￥221,669.9000 |
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