PD20010-E
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | PD20010-E 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerSO-10RF-Formed-4 |
| 增益 | 11 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 10 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
库存：53,803
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥112.5195
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥112.5195 | ￥112.5195 |
| 10+ | ￥103.4147 | ￥1,034.1470 |
| 25+ | ￥99.1399 | ￥2,478.4975 |
| 100+ | ￥86.8091 | ￥8,680.9100 |
| 250+ | ￥83.0279 | ￥20,756.9750 |
| 500+ | ￥77.7042 | ￥38,852.1000 |
| 1,000+ | ￥72.1867 | ￥72,186.7000 |
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