AFT20S015GNR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | AFT20S015GNR1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-270-2 |
| 增益 | 17.6 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 1.5 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 65 V |
| Id-连续漏极电流 | 132 mA |
库存：58,470
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥175.9098
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥175.9098 | ￥175.9098 |
| 10+ | ￥162.2834 | ￥1,622.8340 |
| 25+ | ￥154.9677 | ￥3,874.1925 |
| 100+ | ￥138.5473 | ￥13,854.7300 |
| 250+ | ￥132.1659 | ￥33,041.4750 |
| 500+ | ￥125.7846 | ￥62,892.3000 |
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