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| 数据手册 | DU28120T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 增益 | 13 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 120 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
库存：57,249
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥767.3468
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥767.3468 | ￥767.3468 |
| 2+ | ￥746.1492 | ￥1,492.2984 |
| 5+ | ￥729.0500 | ￥3,645.2500 |
| 10+ | ￥707.7378 | ￥7,077.3780 |
| 25+ | ￥682.1419 | ￥17,053.5475 |
| 50+ | ￥660.7680 | ￥33,038.4000 |
| 100+ | ￥639.4557 | ￥63,945.5700 |
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