AFT05MS003NT1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor 1.8-941 MHz, 3 W, 7.5V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | AFT05MS003NT1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-89-3 |
| 增益 | 20.8 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 3.2 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
库存：59,175
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥16.8524
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.8524 | ￥16.8524 |
| 10+ | ￥14.3139 | ￥143.1390 |
| 100+ | ￥11.6521 | ￥1,165.2100 |
| 500+ | ￥10.3476 | ￥5,173.8000 |
| 1,000+ | ￥6.5047 | ￥6,504.7000 |
| 2,000+ | ￥6.3196 | ￥12,639.2000 |
| 10,000+ | ￥5.1121 | ￥51,121.0000 |
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