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MHT1008NT1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V

制造商:
NXP Semiconductors
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 MHT1008NT1 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
最小工作温度 - 40 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 PLD-1.5W
增益 18.6 dB
技术 SI
输出功率 12.5 W
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 - 500 mV, 65 V
Id-连续漏极电流 154 mA

库存:51,027

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥96.6014
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥96.6014 ¥96.6014
10+ ¥85.0727 ¥850.7270
100+ ¥74.9719 ¥7,497.1900
250+ ¥71.2612 ¥17,815.3000
500+ ¥66.6691 ¥33,334.5500
1,000+ ¥61.1603 ¥61,160.3000

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