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MW6S010GNR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MW6S010GNR1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-270-2 |
| 增益 | 18 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 10 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
库存：53,652
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥126.4016
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥126.4016 | ￥126.4016 |
| 10+ | ￥116.6092 | ￥1,166.0920 |
| 25+ | ￥111.3473 | ￥2,783.6825 |
| 100+ | ￥99.5718 | ￥9,957.1800 |
| 250+ | ￥94.9885 | ￥23,747.1250 |
| 500+ | ￥90.4052 | ￥45,202.6000 |
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