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| 数据手册 | QPD1022SR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | QFN-16 |
| 增益 | 24 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 10 W |
| Pd-功率耗散 | 13.8 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 32 V |
| Id-连续漏极电流 | 610 mA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 2.8 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：55,039
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 100
- 参考单价：
- ￥166.3114
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 100+ | ￥166.3114 | ￥16,631.1400 |
| 200+ | ￥154.6593 | ￥30,931.8600 |
| 500+ | ￥143.8180 | ￥71,909.0000 |
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