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QPD9300SR

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 25W 28V 9.3-9.6GHz GaN IMFET

制造商:
Qorvo
产品类别
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

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产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
封装 Reel
最小工作温度 - 40 C
最大工作温度 + 85 C
封装 / 箱体 7 mm x 7 mm
增益 7.8 dB
技术 GaN SiC
输出功率 30.4 W
Pd-功率耗散 78 W
Vds-漏源极击穿电压 145 V
Id-连续漏极电流 11 A
晶体管类型 HEMT