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QPD9300SR
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 25W 28V 9.3-9.6GHz GaN IMFET
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD9300SR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | 7 mm x 7 mm |
| 增益 | 7.8 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 30.4 W |
| Pd-功率耗散 | 78 W |
| Vds-漏源极击穿电压 | 145 V |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 晶体管类型 | HEMT |
