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QPD9300SR
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 25W 28V 9.3-9.6GHz GaN IMFET
- 制造商:
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | QPD9300SR 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 85 C |
封装 / 箱体 | 7 mm x 7 mm |
增益 | 7.8 dB |
技术 | GaN SiC |
输出功率 | 30.4 W |
Pd-功率耗散 | 78 W |
Vds-漏源极击穿电压 | 145 V |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
晶体管类型 | HEMT |
库存:58,499
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1