QPD1019
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD1019 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm |
| 增益 | 16.3 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| Pd-功率耗散 | 522 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 7 V to 2 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | 55 V |
