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QPD0020TR7
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD0020TR7 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装 / 箱体 | QFN-20 |
| 增益 | 16.7 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 34.7 W |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：57,665
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 500
- 参考单价：
- ￥136.8109
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 500+ | ￥136.8109 | ￥68,405.4500 |
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