QPD2195SR
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD2195SR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 封装 / 箱体 | NI780-2 |
| 增益 | 20.4 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 400 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | 55 V |
库存：59,585
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 100
- 参考单价：
- ￥1,088.4937
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 100+ | ￥1,088.4937 | ￥108,849.3700 |
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