A3G26H501W17SR3
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A3G26H501W17SR3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 225 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780S-4S2S |
| 增益 | 13.7 dB |
| 技术 | GaN |
| 输出功率 | 56 W |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 42 mA |
库存：51,126
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥870.8232
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 250+ | ￥870.8232 | ￥217,705.8000 |
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