A3T23H300W23SR6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A3T23H300W23SR6 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ACP-1230S-4L2S |
| 增益 | 15.6 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 63 W |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 5 V, 65 V |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
库存：51,490
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥577.0526
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥577.0526 | ￥577.0526 |
| 5+ | ￥559.7066 | ￥2,798.5330 |
| 10+ | ￥545.5778 | ￥5,455.7780 |
| 25+ | ￥529.2190 | ￥13,230.4750 |
| 50+ | ￥512.9836 | ￥25,649.1800 |
| 100+ | ￥497.4357 | ￥49,743.5700 |
| 150+ | ￥483.1218 | ￥72,468.2700 |
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