MRF101AN
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF101AN 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 增益 | 21.1 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 100 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 133 V |
| Id-连续漏极电流 | 8.8 A |
库存：53,971
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥135.4536
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥135.4536 | ￥135.4536 |
| 10+ | ￥124.9120 | ￥1,249.1200 |
| 25+ | ￥119.2799 | ￥2,981.9975 |
| 100+ | ￥106.7023 | ￥10,670.2300 |
| 250+ | ￥101.7400 | ￥25,435.0000 |
| 500+ | ￥96.8482 | ￥48,424.1000 |
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