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    2SK3476(TE12L,Q)

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    封装 / 箱体 PW-X-4
    增益 11.4 dB
    技术 SI
    输出功率 7 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 3 A

    库存:56,544

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥36.9307
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥36.9307 ¥36.9307
    10+ ¥29.6767 ¥296.7670
    100+ ¥27.0766 ¥2,707.6600
    250+ ¥24.4148 ¥6,103.7000
    1,000+ ¥18.4653 ¥18,465.3000
    2,000+ ¥17.6016 ¥35,203.2000

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