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    PD20015-E

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Tube
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PowerSO-10RF-Formed-4
    增益 11 dB
    技术 SI
    输出功率 15 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 40 V
    Id-连续漏极电流 7 A

    库存:58,258

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥145.1137
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥145.1137 ¥145.1137
    10+ ¥133.8406 ¥1,338.4060
    25+ ¥127.8294 ¥3,195.7350
    100+ ¥113.8240 ¥11,382.4000
    250+ ¥107.8128 ¥26,953.2000
    500+ ¥101.7400 ¥50,870.0000

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