ARF466BG
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, 1000V, TO-264, RoHS
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | ARF466BG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 增益 | 16 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 300 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
库存：54,155
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥300.5838
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥300.5838 | ￥300.5838 |
| 2+ | ￥292.4045 | ￥584.8090 |
| 5+ | ￥284.2868 | ￥1,421.4340 |
| 10+ | ￥276.1691 | ￥2,761.6910 |
| 25+ | ￥256.6461 | ￥6,416.1525 |
| 50+ | ￥250.3881 | ￥12,519.4050 |
| 100+ | ￥239.2384 | ￥23,923.8400 |
| 250+ | ￥218.6665 | ￥54,666.6250 |
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