IXZR16N60
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
- 制造商：
- IXYS
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | IXZR16N60 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 350 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 530 mOhms |
库存：54,879
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥193.6348
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥193.6348 | ￥193.6348 |
| 10+ | ￥178.5099 | ￥1,785.0990 |
| 100+ | ￥150.4462 | ￥15,044.6200 |
| 500+ | ￥135.3919 | ￥67,695.9500 |
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