IXFX21N100F
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS
- 制造商：
- IXYS
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | IXFX21N100F 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1000 V |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
库存：59,609
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥147.2202
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥147.2202 | ￥147.2202 |
| 5+ | ￥140.6538 | ￥703.2690 |
| 10+ | ￥136.1939 | ￥1,361.9390 |
| 25+ | ￥125.1676 | ￥3,129.1900 |
| 100+ | ￥116.3007 | ￥11,630.0700 |
| 250+ | ￥96.7248 | ￥24,181.2000 |
| 500+ | ￥89.3475 | ￥44,673.7500 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
