图像仅供参考 请参阅产品规格

AFT05MS004NT1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

制造商:
NXP Semiconductors
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 AFT05MS004NT1 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Cut Tape, Reel
技术 SI

库存:51,512

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥13.6970
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥13.6970 ¥13.6970
10+ ¥11.6521 ¥116.5210
100+ ¥9.2988 ¥929.8800
500+ ¥8.1177 ¥4,058.8500
1,000+ ¥6.6281 ¥6,628.1000
2,000+ ¥5.9935 ¥11,987.0000
10,000+ ¥5.7644 ¥57,644.0000

申请更低价? 请联系客服

新品资讯