ARF463AP1G
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, 500V, TO-247, RoHS
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | ARF463AP1G 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
增益 | 15 dB |
技术 | SI |
输出功率 | 100 W |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 9 A |
库存:51,989
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥223.3732
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥223.3732 | ¥223.3732 |
5+ | ¥213.3341 | ¥1,066.6705 |
10+ | ¥206.6442 | ¥2,066.4420 |
25+ | ¥189.9153 | ¥4,747.8825 |
50+ | ¥184.2126 | ¥9,210.6300 |
100+ | ¥175.4779 | ¥17,547.7900 |
250+ | ¥161.2257 | ¥40,306.4250 |
500+ | ¥148.5247 | ¥74,262.3500 |
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