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    ARF463AP1G

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, 500V, TO-247, RoHS

    制造商:
    Microchip / Microsemi
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 ARF463AP1G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    增益 15 dB
    技术 SI
    输出功率 100 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 500 V
    Id-连续漏极电流 9 A

    库存:51,989

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥223.3732
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥223.3732 ¥223.3732
    5+ ¥213.3341 ¥1,066.6705
    10+ ¥206.6442 ¥2,066.4420
    25+ ¥189.9153 ¥4,747.8825
    50+ ¥184.2126 ¥9,210.6300
    100+ ¥175.4779 ¥17,547.7900
    250+ ¥161.2257 ¥40,306.4250
    500+ ¥148.5247 ¥74,262.3500

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