MRFE6VP6300HR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VP6300HR3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 30 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780-4 |
| 增益 | 26.6 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 300 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 130 V |
库存：57,570
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥636.3532
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥636.3532 | ￥636.3532 |
| 5+ | ￥617.2709 | ￥3,086.3545 |
| 10+ | ￥602.7101 | ￥6,027.1010 |
| 25+ | ￥584.6150 | ￥14,615.3750 |
| 50+ | ￥567.0839 | ￥28,354.1950 |
| 100+ | ￥545.2693 | ￥54,526.9300 |
| 250+ | ￥532.9385 | ￥133,234.6250 |
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