MRFE6VP5600HSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VP5600HSR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-1230S |
| 增益 | 25 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 600 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 130 V |
库存：50,043
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥771.6216
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥771.6216 | ￥771.6216 |
| 5+ | ￥760.3397 | ￥3,801.6985 |
| 10+ | ￥734.8144 | ￥7,348.1440 |
| 25+ | ￥716.5341 | ￥17,913.3525 |
| 50+ | ￥706.9886 | ￥35,349.4300 |
| 100+ | ￥683.3230 | ￥68,332.3000 |
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