MMRF1312HSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MMRF1312HSR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-1230S-4S-4 |
| 增益 | 19.6 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 1 kW |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 112 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
库存：55,340
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3,419.5235
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3,419.5235 | ￥3,419.5235 |
| 5+ | ￥3,402.2304 | ￥17,011.1520 |
| 10+ | ￥3,316.6024 | ￥33,166.0240 |
| 25+ | ￥3,290.8215 | ￥82,270.5375 |
| 50+ | ￥3,273.7223 | ￥163,686.1150 |
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