图像仅供参考 请参阅产品规格
MMRF1013HR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MMRF1013HR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 封装 | Reel |
| 技术 | SI |
库存：57,166
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥2,138.2588
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥2,138.2588 | ￥106,912.9400 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
