ARF1501
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, 1000V, ARF, T1
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | ARF1501 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 增益 | 17 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 750 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
库存：54,877
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,170.8429
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,170.8429 | ￥1,170.8429 |
| 2+ | ￥1,142.7087 | ￥2,285.4174 |
| 5+ | ￥1,125.9797 | ￥5,629.8985 |
| 10+ | ￥1,109.9911 | ￥11,099.9110 |
| 25+ | ￥1,094.8134 | ￥27,370.3350 |
| 50+ | ￥1,019.7181 | ￥50,985.9050 |
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