IXZ2210N50L2
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ2210N50L2 10A 500V N Channel Dual ZMOS Linear MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | IXZ2210N50L2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SMD-8 |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 270 W |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
库存：55,012
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥231.1207
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥231.1207 | ￥231.1207 |
| 5+ | ￥231.0590 | ￥1,155.2950 |
| 10+ | ￥215.6257 | ￥2,156.2570 |
| 25+ | ￥206.5825 | ￥5,164.5625 |
| 100+ | ￥180.7487 | ￥18,074.8700 |
| 250+ | ￥174.2969 | ￥43,574.2250 |
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