AGR09030EF
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | AGR09030EF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 技术 | SI |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Id-连续漏极电流 | 4.25 A |
库存：58,689
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥408.9520
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥408.9520 | ￥408.9520 |
| 10+ | ￥340.7933 | ￥3,407.9330 |
| 25+ | ￥306.7184 | ￥7,667.9600 |
| 50+ | ￥272.6346 | ￥13,631.7300 |
| 100+ | ￥245.3729 | ￥24,537.2900 |
| 200+ | ￥190.8407 | ￥38,168.1400 |
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