MRFE6VP6300HSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VP6300HSR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 30 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780S-4 |
| 增益 | 26.6 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 300 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 130 V |
库存：59,017
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥583.8746
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥583.8746 | ￥29,193.7300 |
| 100+ | ￥553.3870 | ￥55,338.7000 |
申请更低价? 请联系客服
