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AGR19125EF

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 24Watt Gain 15dB

制造商:
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 AGR19125EF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Tray
技术 SI

库存:56,784

交货地:
国内
最小包装:
10
参考单价:
¥715.6704
数量 单价(含税) 总计
10+ ¥715.6704 ¥7,156.7040
30+ ¥633.8764 ¥19,016.2920
50+ ¥572.5310 ¥28,626.5500
100+ ¥552.0825 ¥55,208.2500

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