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MHT1803B

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L

制造商:
NXP Semiconductors
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

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产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 Through Hole
封装 Tube
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 TO-247-3
增益 28.2 dB
输出功率 300 W
晶体管极性 N-Channel

库存:56,529

交货地:
国内
最小包装:
240
参考单价:
¥112.9602
数量 单价(含税) 总计
240+ ¥112.9602 ¥27,110.4480
480+ ¥107.7512 ¥51,720.5760
720+ ¥102.5509 ¥73,836.6480

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