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A2T18S260-12SR3

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V

制造商:
NXP Semiconductors
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

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数据手册 A2T18S260-12SR3 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Reel
技术 SI

库存:52,209

交货地:
国内
最小包装:
250
参考单价:
¥619.0689
数量 单价(含税) 总计
250+ ¥619.0689 ¥154,767.2250

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