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MRFE6VP6600GNR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VP6600GNR3 点击下载 |
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产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 封装 | Reel |
| 技术 | SI |
库存：54,524
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥478.0361
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 250+ | ￥478.0361 | ￥119,509.0250 |
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