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AGR19060EF
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | AGR19060EF 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
封装 | Tray |
技术 | SI |
库存:59,870
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 10
- 参考单价:
- ¥563.8580
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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10+ | ¥563.8580 | ¥5,638.5800 |
30+ | ¥499.4189 | ¥14,982.5670 |
50+ | ¥451.0829 | ¥22,554.1450 |
100+ | ¥434.9797 | ¥43,497.9700 |
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