图像仅供参考 请参阅产品规格
A2T21S160-12SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A2T21S160-12SR3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 封装 | Reel |
| 技术 | SI |
库存：52,449
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥554.6298
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 250+ | ￥554.6298 | ￥138,657.4500 |
申请更低价? 请联系客服
