A2G22S190-01SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A2G22S190-01SR3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-400S-2 |
| 增益 | 16.5 dB |
| 技术 | GaN Si |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 19 mA |
库存：56,430
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥564.2282
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 250+ | ￥564.2282 | ￥141,057.0500 |
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