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| 数据手册 | IXGK100N170 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXGK100N170 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 170 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：58,093
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥198.1563
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥198.1563 | ￥198.1563 |
| 5+ | ￥196.4200 | ￥982.1000 |
| 10+ | ￥182.7230 | ￥1,827.2300 |
| 25+ | ￥169.7136 | ￥4,242.8400 |
| 50+ | ￥166.9283 | ￥8,346.4150 |
| 100+ | ￥153.9806 | ￥15,398.0600 |
| 250+ | ￥143.6946 | ￥35,923.6500 |
| 500+ | ￥141.4559 | ￥70,727.9500 |
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