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| 数据手册 | IXXX200N65B4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXX200N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1150 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 370 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：55,788
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥104.4723
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥104.4723 | ￥104.4723 |
| 10+ | ￥95.9756 | ￥959.7560 |
| 25+ | ￥92.0182 | ￥2,300.4550 |
| 50+ | ￥89.0390 | ￥4,451.9500 |
| 100+ | ￥79.5640 | ￥7,956.4000 |
| 250+ | ￥77.0784 | ￥19,269.6000 |
| 500+ | ￥72.1250 | ￥36,062.5000 |
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