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| 数据手册 | STS8DN6LF6AG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | STripFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 21 mOhms, 21 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC, 27 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,789
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.3156
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.3156 | ￥7.3156 |
| 10+ | ￥6.1962 | ￥61.9620 |
| 100+ | ￥4.6802 | ￥468.0200 |
| 250+ | ￥4.5392 | ￥1,134.8000 |
| 500+ | ￥3.9663 | ￥1,983.1500 |
| 1,000+ | ￥3.2259 | ￥3,225.9000 |
| 2,500+ | ￥3.1378 | ￥7,844.5000 |
| 5,000+ | ￥2.8910 | ￥14,455.0000 |
| 10,000+ | ￥2.7676 | ￥27,676.0000 |
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