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| 数据手册 | UT3N06G-AE3-R 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 90mΩ @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW |
库存：54,164
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.3113
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.3113 | ￥1.5565 |
| 50+ | ￥0.2333 | ￥11.6650 |
| 150+ | ￥0.2190 | ￥32.8500 |
| 500+ | ￥0.2047 | ￥102.3500 |
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