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| 数据手册 | 2N7002DW 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 115mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 7.5Ω @ 50mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW |
库存：57,863
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.2603
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.2603 | ￥2.6030 |
| 100+ | ￥0.1880 | ￥18.8000 |
| 300+ | ￥0.1747 | ￥52.4100 |
| 1,000+ | ￥0.1614 | ￥161.4000 |
| 5,000+ | ￥0.1555 | ￥777.5000 |
| 10,000+ | ￥0.1526 | ￥1,526.0000 |
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