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| 数据手册 | PPMT30V4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -30V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.2A |
| 栅源极阈值电压 | 1.3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 60mΩ @ 4.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.2W |
库存：57,339
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.3128
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.3128 | ￥1.5640 |
| 50+ | ￥0.2344 | ￥11.7200 |
| 150+ | ￥0.2200 | ￥33.0000 |
| 500+ | ￥0.2056 | ￥102.8000 |
| 2,500+ | ￥0.1992 | ￥498.0000 |
| 5,000+ | ￥0.1960 | ￥980.0000 |
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