图像仅供参考 请参阅产品规格

TDM3412

Asy.DN沟道 30V 上管17.5mΩ@4.5V 下管16mΩ@4.5V

制造商:
Techcode(泰德)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TDM3412 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道(半桥)
漏源电压(Vdss) -30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 10.8mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 20W(Tc)

库存:59,625

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.2879
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.2879 ¥1.2879
10+ ¥0.9252 ¥9.2520
30+ ¥0.8585 ¥25.7550
100+ ¥0.7919 ¥79.1900
500+ ¥0.7623 ¥381.1500
1,000+ ¥0.7477 ¥747.7000

申请更低价? 请联系客服

新品资讯