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TDM3412
Asy.DN沟道 30V 上管17.5mΩ@4.5V 下管16mΩ@4.5V
- 制造商:
- Techcode(泰德)
- 产品类别
- MOS(场效应管)
- 无铅情况/RoHS:
- 否
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | TDM3412 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | 双N沟道(半桥) |
漏源电压(Vdss) | -30V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 18A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 10.8mΩ @ 10A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 20W(Tc) |
库存:59,625
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.2879
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.2879 | ¥1.2879 |
10+ | ¥0.9252 | ¥9.2520 |
30+ | ¥0.8585 | ¥25.7550 |
100+ | ¥0.7919 | ¥79.1900 |
500+ | ¥0.7623 | ¥381.1500 |
1,000+ | ¥0.7477 | ¥747.7000 |
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