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KIA50N06BD

N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KIA50N06BD 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 50A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 12.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 88W

库存:53,502

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.7978
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.7978 ¥0.7978
10+ ¥0.5802 ¥5.8020
30+ ¥0.5402 ¥16.2060
100+ ¥0.5003 ¥50.0300
500+ ¥0.4825 ¥241.2500
1,000+ ¥0.4737 ¥473.7000

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