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| 数据手册 | NCE2003 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A |
| 栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA,1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 35mΩ @ 3A,4.5V;75mΩ @ 2.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 800mW |
库存：51,000
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.2738
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.2738 | ￥2.7380 |
| 100+ | ￥0.2075 | ￥20.7500 |
| 300+ | ￥0.1953 | ￥58.5900 |
| 1,000+ | ￥0.1831 | ￥183.1000 |
| 5,000+ | ￥0.1777 | ￥888.5000 |
| 10,000+ | ￥0.1751 | ￥1,751.0000 |
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