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UMW1N60G

G表示SOT-223封装

制造商:
UMW(友台半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 UMW1N60G 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 1A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 11Ω @ 500mA,10V

库存:53,613

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.4259
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.4259 ¥2.1295
50+ ¥0.3203 ¥16.0150
150+ ¥0.3009 ¥45.1350
500+ ¥0.2815 ¥140.7500
2,500+ ¥0.2728 ¥682.0000
5,000+ ¥0.2686 ¥1,343.0000

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