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| 数据手册 | 2N65G-TN3-R 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A |
| 栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 9.5Ω @ 1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 44W |
库存：58,206
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.6377
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥0.6377 | ￥0.6377 |
| 10+ | ￥0.4701 | ￥4.7010 |
| 30+ | ￥0.4393 | ￥13.1790 |
| 100+ | ￥0.4085 | ￥40.8500 |
| 500+ | ￥0.3948 | ￥197.4000 |
| 1,000+ | ￥0.3881 | ￥388.1000 |
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